Зарядное Устройство Из Бп Компьютера На Микросхеме Sg 6105.Rar

Барс в статье упомянул своё общение с Кеном, но этой переводимой статьи тогда еще не было. Фото кристалла интересной, но малоизвестной, микросхемы TL4. Несмотря на то, что схема на фото выглядит как какой- то лабиринт, сама микросхема относительно проста, и может быть исследована без большого труда. В своей статье я попытаюсь объяснить каким образом транзисторы, резисторы и другие радиодетали запакованы в кремний для выполнения своих функций. Фото кристалла TL4. Оригинал Zeptobars.

TL4. 31 является «программируемым прецизионным источником опорного напряжения» . Используя участок цепи, называемый бандгапом, TL4. На блок- схеме TL4. Блок- схема TL4. 31, взятая из даташита. У TL4. 31 длинная история: он был выпущен еще в 1. Он помогал стабилизировать напряжение в блоке питания для Apple II, а сейчас используется в большинстве ATX блоков питания . И Mag. Safe- коннекторы, и адаптеры для ноутбуков, и микрокомпьютеры, LEDдрайверы, блоки питания для аудиотехники, видеоприставки, телевизоры.

Форум » Компьютеры и периферия. Как сделать зарядное 19 В 5 А из ATX 12 В на шиме 2005z GMBN804? Увеличение выходного напряжения компьютерного БП на SG6105D. Микросхема стоит SG6105.

Во всей этой электронике присутствует TL4. Фотографии ниже показывают TL4. БП. TL4. 31 выпускается самых разных форм и размеров. Два наиболее популярных форм- фактора показаны ниже. Верхний ряд: дешёвый 5- вольтовый БП, дешёвое ЗУ для телефона, ЗУ для Apple i.

Phone (на фото можно еще заметить GB9- вариацию). Нижний ряд: Mag. Safe адаптер, ЗУ KMS USB, Dell ATX БП (на переднем плане — оптопары)Как же радиоэлектронные компоненты выглядят в кремнии? TL4. 31 очень простая микросхема, и вполне возможно понять её логику на кремниевом уровне пристальным изучением фото.

Конструктивно зарядное устройство состоит из блока питания АТ/АТХ, который нужно немного В нашей конструкции мы используем блок питания от компьютера. В ATX для начального питания микросхемы служит отдельный источник 5В, называемый. Другие БП могли содержать SG6105, уже включающий в себя два TL431. В зарядных устройствах для телефонов обычно применяют TL431. Поэтому судя по поведению БП, с этим сигналом все нормально!). 3) Возле 494 микросхемы, в районе 9 ноги, стоят 2 диодика. Суть проверки заключается в подаче на микросхему SG6105 питающего напряжения от лабораторного источника питания. Ремонт и обслуживание персональных компьютеров. Не запускается бп на sg 6105 Источники питания и свет. Тип файла pdf, SG6105 610.2 Кб, 383 просмотров. При этом методе в течение всего времени заряда напряжение зарядного устройства остается.

Я покажу, каким же образом транзисторы, резисторы, перемычки и конденсаторы реализованы. А затем уже проведу полный реверс- инжиниринг данной микросхемы. Реализация транзисторов различных типов. Микросхема использует как n- p- n, так и p- n- p биполярные транзисторы (в отличие от микросхем навроде 6. MOSFET). Если вы изучали электронику в школе или в университете, вы возможно видели схему n- p- n транзистора (вроде той, что ниже), на которой показаны коллектор (обозначен как C), база ( и эмиттер (E).

Транзистор изображен в виде своеобразного бутерброда с P- слоем между двумя N- слоями, такое расположение слоёв характеризует транзистор как n- p- n. Однако, выясняется, что в микросхеме нет совершенно ничего схожего с этой схемой. Даже база находится не в центре! Символьное обозначение и структура n- p- n транзистора. На фотографии ниже можно рассмотреть один из транзисторов TL4.

Цветовые различия в розовых и фиолетовых регионах вызваны разным легированием кремния, для формирования N и P областей. Светло- желтые области — металлический слой микросхемы, располагающийся поверх кремниевого.

Такие области нужны для обеспечения возможности подключения проводников к коллектору, эмиттеру и базе. В нижней части фотографии нарисовано поперечное сечение, примерно изображающее как конструируется транзистор. Проводник эмиттера соединяется с N+ кремнием. Под ним располагается P- слой, подключенный к контакту базы. Еще ниже — слой N+, соединенный с коллектором (не напрямую). Так как большинство транзисторов в TL4. TL4. 31, и его структура в кремнии.

Как вариант для БП SG6105 понравился двухтактный силовой блок не капризный нормально, работает без нагрузки, не греется без нагрузки, понятен с точки зрения разблокировки запуска, легко управляется делителем.

Выходной n- p- n транзистор намного больше остальных, так как ему необходимо выдерживать полную нагрузку по току. Большинство транзисторов работает с микроамперами, а этот выходной транзистор поддерживает ток до 1.

Для работы с такими токами он и сделан более крупным (занимает 6% всего кристалла), и имеет широкие металлические коннекторы на эмиттере и коллекторе. Топология выходного транзистора сильно отличается от других n- p- n транзисторов. Он создаётся, так сказать, боком, планарная структура, вместо глубинной, и база располагается между эмиттером и коллектором. Метал слева подсоединён к десяти эмиттерам (синеватый кремний N- типа), каждый из которых окружен розовым P- слоем, который является базой (средний проводник). Коллектор (правая часть) имеет только один большой контакт. Проводники эмиттера и базы образуют вложенную «гребёнку». Обратите внимание, что метал коллектора становится шире сверху вниз для того, чтобы поддерживать большие тока на нижней части транзистора.

Транзисторы p- n- p типа имеют совершенно другое строение. Они состоят из округлого эмиттера (P), окруженного кольцом базы (N), которую, в свою очередь, обступает коллектор (P). Таким образом, получается горизонтальный бутерброд, вместо обычной вертикальной структуры n- p- n транзисторов. Стоит отметить то, что хотя металлический контакт для базы находится в углу транзистора, он электрически соединен через N и N+ области с активным кольцом, пролегающим между коллектором и эмиттером. Структура p- n- p транзистора. Реализация резисторов в микросхеме. Резисторы являются ключевым компонентом почти в любой аналоговой схеме.

Они реализованы как длинная полоса легированного кремния. Различные сопротивления достигаются использованием различной площади материала — сопротивление пропорционально площади. Снизу заметно три резистора — их формируют три длинных горизонтальных полоски кремния. Желтоватые металлические проводники проходят через них. Места соединения металлического слоя и резистора выглядят как квадраты. Расположение этих контактов и задаёт длину резистора и, соответственно, его сопротивление. К примеру, сопротивление нижнего резистора немного больше остальных потому, что контакты расположены на большем расстоянии.

Верхние два резистора объединены в пару металлическим слоем сверху слева. Резисторы. Резисторы в микросхемах имеют очень плохой допуск — сопротивление может различаться на 2. Очевидно, что это серьезная проблема для таких точных микросхем, как TL4. Поэтому TL4. 31 спроектирован таким образом, что важной характеристикой является не конкретное сопротивление, а отношение сопротивлений. Конкретные значения сопротивлений не сильно важны, если сопротивления меняются в одной пропорции.

Вторым методом уменьшения зависимости от эффекта изменчивости является сама топология микросхемы. Резисторы располагаются на параллельных дорожках одинаковой ширины для снижения эффекта от любой асимметрии в сопротивлении кремния.

Кроме того, они размещены рядом друг с другом для минимизации отклонений в свойствах кремния между разными частями микросхемы. Помимо всего этого, в следующей главе я расскажу о том, как перед корпусированием кристалла можно настроить сопротивления для регулирования производительности микросхемы. Кремниевые перемычки для настройки сопротивлений. Вот чего я не ожидал в TL4.

Во время производства микросхем эти перемычки могут быть удалены для того, чтобы отрегулировать сопротивления и повысить точность микросхемы. На некоторых более дорогих микросхемах есть сопротивления, которые могут быть удалены лазером, просто выжигающим часть резистора перед корпусированием. Точность настройки таким методом куда выше чем у перемычек. Цепь с перемычкой показана на фото снизу. Она содержит параллельных два резистора (на фото они выглядят как один элемент) и перемычку.

В обычном состоянии, эта перемычка шунтирует резисторы. При изготовлении микросхемы, её характеристики могут быть замерены, и если требуется большее сопротивление, то два щупа подсоединяются к площадкам и подаётся высокий ток. Этот процесс сжигает перемычку, добавляя немного сопротивления цепи. Таким образом, сопротивление всей схемы может быть немного подкорректировано для улучшения характеристик микросхемы. Перемычка для настройки сопротивления.

Конденсаторы. TL4. Первый конденсатор (под текстом «TLR4. A») сформирован обратносмещенным диодом (красноватые и фиолетовые полосы).

У инверсного слоя в диоде есть ёмкостное сопротивление, которое может быть использовано для формирования конденсатора (подробнее). Главное ограничение такого типа конденсаторов в том, что ёмкостное сопротивление разнится в зависимости от напряжения, потому что меняется ширина инверсного слоя. Конденсатор, образованный p- n переходом.

Вендорная строка написана с помощью метала, нанесенного поверх кремния. Второй конденсатор сконструирован совершенно другим методом, и больше похож на обычный конденсатор с двумя пластинами. Даже не на что поглядеть — он состоит из большой металлической пластины с подложкой из N+ кремния в качестве второй пластины. Для того чтобы уместиться рядом с другими частями цепи, он имеет неправильную форму. Данный конденсатор занимает около 1.

В даташите упоминается, что оба конденсатора по 2. Фарад, но я не знаю насколько этому можно верить. Конденсатор. Реверс- инжиниринг TL4. Промаркированный кристалл TL4. На схеме сверху выделены и поименованы элементы на кристалле, и затем перенесены на чертеж снизу. После всех разъяснений ранее, я думаю, структура любого элемента должна быть ясна.

Три пина микросхемы подсоединены к площадкам «ref», «anode» и «cathode». Микросхема имеет один уровень металлизации (светло- желтый) для соединения компонентов. На чертеже сопротивление задаётся относительно неизвестного R.

Наверное, 1. 00 Ом вполне подходит, но я не знаю точного значения. Самым большим сюрпризом было то, что характеристики элементов сильно отличились от тех, что были опубликованы ранее в других схемах. Данные характеристики фундаментально сказываются на том, как в целом работает стабилитрон с напряжением запрещённой зоны.

В блоке питания это увеличивает ток, идущий к управляющей микросхеме (косвенно), и влечёт за собой уменьшение мощности БП, после чего происходит спад напряжения до нормального уровня. Таким образом, БП используют TL4. Наиболее интересная часть микросхемы это стабилитрон с напряжением запрещённой зоны и с компенсацией температурных воздействий. Ключевые элементы видны на фото кристалла: область эмиттера транзистора Q5 в 8 раз больше чем у Q4, поэтому два транзистора по- разному реагируют на температуру. Выходные сигналы с транзисторов объединяются через резисторы R2, R3, R4 в нужной пропорции для компенсации температурных эффектов, и формируют стабильный опорный сигнал. Наконец, выход компаратара проходит через Q1.

Q1. 1.«Открываем» микросхему низко- технологичным методом.